Akio Yamamoto: "Evidences for the Existence of a High-Carrier-Density Layer near Nondoped-GaN/α-Al_2O_3 Substrate Interface"Physica Status Solidi (a). 176・1. 689-692 (1999)
Akio Yamamoto: "Evidences for the Existence of a High-Carrier-Density Layer near Nondoped-GaN/α-Al_2O_3 Substrate Interface"Physica Status Solidi (a). 176・1. 689-692 (1999)
复制标题
Akio Yamamoto：“非掺杂 GaN/α-Al_2O_3 衬底界面附近存在高载流子密度层的证据”Physica Status Solidi（a）176·1（1999）。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
