Performance improvements of P-channel GaN HFETs by atomic layer etching using nitrogen plasma
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通过氮等离子体原子层蚀刻提高 P 沟道 GaN HFET 的性能
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Kazuo Tsutsui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shonosuke Kimura;Takuya Hoshii;Kuniyuki Kakushima;Hithoshi Wakabayashi;and Kazuo Tsutsui
