窒素プラズマ ALE による P チャネル GaN HFET の特性向上
窒素プラズマ ALE による P チャネル GaN HFET の特性向上
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通过氮等离子体 ALE 改善 P 沟道 GaN HFET 的特性
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
筒井 一生
中科院分区：
文献类型：
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作者：
木村 匠之介;三浦 克之;星井 拓也;角嶋 邦之;若林 整;筒井 一生
