Effect of Ultrathin Si Passivation Layer for La_2O_3/Ge MOS structure
Effect of Ultrathin Si Passivation Layer for La_2O_3/Ge MOS structure
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超薄Si钝化层对La_2O_3/Ge MOS结构的影响
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Song
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Song;K.Kakushima;P.Ahmet;K.Tsutsui;N.Sugii;T.Hattori;H.Iwai;J.Song
