Submilliamp long wavelength vertical cavity lasers

Submilliamp long wavelength vertical cavity lasers
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亚毫安长波长垂直腔激光器

DOI：
10.1049/el:19961099
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发表时间：
1996
期刊：
Conference Digest. 15th IEEE International Semiconductor Laser Conference
影响因子：
--
通讯作者：
Evelyn L. Hu
Evelyn L. Hu
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
N. Margalit;D. Babic;K. Streubel;R. Mirin;R. Naone;John E. Bowers;Evelyn L. Hu

文献摘要

被引文献

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我们展示了一种改进的横向氧化长波长 (1.55-/spl mu/m) InGaAsP 垂直腔 DBR QW 激光器。该器件展现了第一个亚毫安阈值电流以及报道的最高 CW (64/spl deg/C) 和脉冲 (85/spl deg/C) 工作温度。
We demonstrate an improved laterally oxidized long wavelength (1.55-/spl mu/m) InGaAsP vertical cavity DBR QW laser. The devices exhibit the first submilliamp threshold current as well as the highest reported CW (64/spl deg/C) and pulsed (85/spl deg/C) operating temperatures.