4H-SiC Pixel Device with UV Photodiode and MOSFETs for Radiation-Hardened UV Image Sensors
4H-SiC Pixel Device with UV Photodiode and MOSFETs for Radiation-Hardened UV Image Sensors
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具有 UV 光电二极管和 MOSFET 的 4H-SiC 像素器件，用于抗辐射 UV 图像传感器
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yasunori Tanaka and Shin-Ichiro Kuroki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kenta Nishigaito;Tatsuya Meguro;Akinori Takeyama;Takeshi Ohshima;Yasunori Tanaka and Shin-Ichiro Kuroki
