Analysis of subthreshold photo-leakage current in ZnO thin-film transistors using indium-ion implantation
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DOI：
10.1016/j.sse.2010.04.001
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发表时间：
2010-11
影响因子：
1.7
通讯作者：
Y. Kamada;S. Fujita;T. Hiramatsu;T. Matsuda;M. Furuta;T. Hirao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kamada;S. Fujita;T. Hiramatsu;T. Matsuda;M. Furuta;T. Hirao
