Extraordinary Permittivity Characterization Using 4H-SiC Substrate-Integrated-Waveguide Resonators
Extraordinary Permittivity Characterization Using 4H-SiC Substrate-Integrated-Waveguide Resonators
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使用 4H-SiC 衬底集成波导谐振器进行出色的介电常数表征
DOI：
10.1109/arftg56062.2023.10148877
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hwang, James C.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Li, Lei;Reyes, Steve;Asadi, Mohammad Javad;Wang, Xiaopeng;Fabi, Gianluca;Ozdemir, Erdem;Wu, Weifeng;Fay, Patrick;Hwang, James C.
4H- 和 6H-SiC 的普通和特殊介电函数（3.5 至 9.0 eV）
影响因子：
4
作者：
O. Lindquist;K. Järrendahl;S. Peters;J. Zettler;C. Cobet;N. Esser;D. Aspnes;A. Henry;N. V. Edwards
通讯作者：
N. V. Edwards