Improvement of GaP crystal quality and silicon bulk lifetime in GaP/Si heteroepitaxy
Improvement of GaP crystal quality and silicon bulk lifetime in GaP/Si heteroepitaxy
复制标题
提高 GaP/Si 异质外延中的 GaP 晶体质量和硅体寿命
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.05.030
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发表时间：
2017
影响因子：
1.8
通讯作者：
C. Honsberg
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chaomin Zhang;Yeongho Kim;N. Faleev;C. Honsberg
