RF-MBEを用いた4H-SiC(0001)基板上へのInN結晶の直接成長
RF-MBEを用いた4H-SiC(0001)基板上へのInN結晶の直接成長
复制标题
使用 RF-MBE 在 4H-SiC(0001) 衬底上直接生长 InN 晶体
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
折原操;他
