N.Usami et al.: "Molecular beam epitaxy of GaAs on nearly lattice-matched SiGe substrates grown by the inulticomponent zone-melting method"Semicon. Sci. and Technolo.. 16. 699-703 (2001)
N.Usami et al.: "Molecular beam epitaxy of GaAs on nearly lattice-matched SiGe substrates grown by the inulticomponent zone-melting method"Semicon. Sci. and Technolo.. 16. 699-703 (2001)
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N.Usami 等人：“通过多组分区域熔化法生长的 GaAs 分子束外延在几乎晶格匹配的 SiGe 衬底上”Semicon。
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