Monolayer MoS2 Steep-slope Transistors with Record-high Sub-60-mV/decade Current Density Using Dirac-source Electron Injection
Monolayer MoS2 Steep-slope Transistors with Record-high Sub-60-mV/decade Current Density Using Dirac-source Electron Injection
复制标题
使用狄拉克源电子注入实现单层 MoS2 陡坡晶体管，具有低于 60mV/十年的创纪录高电流密度
DOI：
--
复制
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and Li, H.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu, M;Jaiswal, H;Shahi, S;Wei, S;Chang, C;Chakravarty, A;Yao, F;and Li, H.
