Sputter Depth Profiling of Multiple Short-Period BN δ-Doped Si by Work Function Measurement
Sputter Depth Profiling of Multiple Short-Period BN δ-Doped Si by Work Function Measurement
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通过功函数测量对多种短周期 BN δ 掺杂硅进行溅射深度分析
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Takai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Mizuhara;T.Bungo;T.Nagatomi;Y.Takai
