Modeling of Bipolar Degradations in 4H-SiC Power MOSFET Devices by a 3C-SiC Inclusive Layer Consideration in the Drift Region
Modeling of Bipolar Degradations in 4H-SiC Power MOSFET Devices by a 3C-SiC Inclusive Layer Consideration in the Drift Region
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通过漂移区域中的 3C-SiC 包容层考虑对 4H-SiC 功率 MOSFET 器件中的双极退化进行建模
DOI：
10.1109/tpel.2021.3112384
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发表时间：
2022
影响因子：
6.7
通讯作者：
Lachichi A
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Lachichi A
