High-frequency InA1N/GaN HFET with an f(T) of 350 GHz
High-frequency InA1N/GaN HFET with an f(T) of 350 GHz
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f(T) 为 350 GHz 的高频 InA1N/GaN HFET
DOI：
10.11972/j.issn.1001-9014.2018.01.004
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发表时间：
2018
影响因子：
0.7
通讯作者：
Zhihong Feng
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xingchang Fu;Yuanjie Lv;Lijiang Zhang;Tong Zhang;Xianjie Li;Xubo Song;Zhirong Zhang;YulongFang;Zhihong Feng
