Gas temperature determination at microcrystalline silicon film growth under high growth rate condition using VHF-PECVD method
Gas temperature determination at microcrystalline silicon film growth under high growth rate condition using VHF-PECVD method
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使用VHF-PECVD方法测定高生长速率条件下微晶硅薄膜生长的气体温度
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Okamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Sobajima;H. Kubota;A. Matsuda;H. Okamoto
