Electron-beam-induced-current study of artificial twist boundaries in bonded Si wafers
Electron-beam-induced-current study of artificial twist boundaries in bonded Si wafers
复制标题
键合硅片中人工扭曲边界的电子束感应电流研究
DOI：
10.1016/s0022-0248(99)00653-3
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发表时间：
2000
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Suezawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ikeda;T. Sekiguchi;S. Ito;M. Takebe;M. Suezawa
