A physics/circuit-based switching model for carbon-based resistive memory

A physics/circuit-based switching model for carbon-based resistive memory
复制标题

用于碳基电阻存储器的基于物理/电路的切换模型

DOI:
--
复制
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
6.7
通讯作者:
Zhiping Yu
Zhiping Yu
中科院分区:
材料科学2区
文献类型:
--
作者:
Shengjun Qin, Jinyu Zhang,* Di Fu, Dan Xie, Yan W;Zhiping Yu

文献摘要

相似文献