Analytical compact modeling framework for the 2D electrostatics in lightly doped double-gate MOSFETs
Analytical compact modeling framework for the 2D electrostatics in lightly doped double-gate MOSFETs
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轻掺杂双栅极 MOSFET 中二维静电的分析紧凑建模框架
DOI：
10.1016/j.sse.2011.11.023
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发表时间：
2012
影响因子：
1.7
通讯作者：
B. Iñíguez
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Schwarz;T. Holtij;A. Kloes;B. Iñíguez
