Detector with High Internal Photocurrent Gain Based on ZnO:N
Detector with High Internal Photocurrent Gain Based on ZnO:N
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DOI：
10.12693/aphyspola.119.681
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发表时间：
2011-05
影响因子：
0.7
通讯作者：
L. Kosyachenko;G. Lashkarev;A. Ievtushenko;V. Lazorenko;V. Sklyarchuk;O. Sklyarchuk
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Kosyachenko;G. Lashkarev;A. Ievtushenko;V. Lazorenko;V. Sklyarchuk;O. Sklyarchuk
-Si异质结用作光敏元件[1–5]。在这种光电二极管中，在 670 nm 处实现了 0.28 A/W 的响应度，对应于大约 0.5 [3, 5] 的量子效率，而在参考文献 1 中。 [2] 310 nm 处的响应率为 0.5 A/W，对应于约 2 的量子效率。 [6]fanAu/的制备和表征
-Si hetero-junctionusedasaphotosensitiveelement[1–5]. Insuchphotodiodes, the responsivity 0.28 A/W was achievedat 670 nm that corresponds to the quantum efficiencyabout 0.5 [3, 5] while in Ref. [2] the responsivity at310 nm was 0.5 A/W that corresponds to the quantumefficiency about 2. In Ref. [6] the fabrication and char-acterizationofanAu/