A vertical MOS-gated Esaki tunneling transistor in silicon
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DOI：
10.1016/s0040-6090(00)00896-8
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发表时间：
2000-07
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
W. Hansch;C. Fink;J. Schulze;I. Eisele
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Hansch;C. Fink;J. Schulze;I. Eisele
