Crystal growth of B12As2 on SiC substrate by CVD method
Crystal growth of B12As2 on SiC substrate by CVD method
复制标题
CVD法在SiC衬底上晶体生长B12As2
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2004.07.068
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发表时间：
2005
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Kuball
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Nagarajan;Z. Xu;J. Edgar;F. Baig;J. Chaudhuri;Z. Rek;E. A. Payzant;H. Meyer;J. Pomeroy;M. Kuball
