Hydrogen sensors based on GaN diodes: The sensing mechanism
Hydrogen sensors based on GaN diodes: The sensing mechanism
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基于 GaN 二极管的氢传感器：传感机制
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshihiro Irokawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
葛生一馬;池田正則;清水博文;高松弘行;迫田尚和;Yoshihiro Irokawa
