Mehr als MoS2: zweidimensionale Edelmetalldichalkogenide
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不止MoS2：二维贵金属二硫属化物
DOI：
10.1002/ange.201309280
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发表时间：
2016
影响因子：
--
通讯作者：
T. Heine
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
L. Kou;Y. Dai;T. Heine
MX2与M（Pt和Pd）和X（S，Se和Te）的化学冶金二次氧化物的结构和电子结构将使双功能理论和周期性随机现象得以解释。Die MS2‐Monolagen sind Halbleiter mit indirekter Bandlücke，während die analogen MSe 2 ‐ und MTe 2 ‐Systeme eine signifikant geringere Bandlücke aufweisen und sogar metallisch bzw.半金属化是很难的。Unter mechanischer Ausdehnung韦尔登die MX2‐Materialien Halbleiter mit quasi‐direkter Bandlücke.机械变形和电子输运使材料具有在具有柔性材料的纳米电子器件中应用的潜力。
Die Struktur und elektronische Struktur von schichtförmigen Edelmetalldichalkogeniden MX2mit Edelmetallatomen M (Pt und Pd) und Chalkogenatomen X (S, Se und Te) wurden mithilfe der Dichtefunktionaltheorie und periodischen Randbedingungen untersucht. Die MS2‐Monolagen sind Halbleiter mit indirekter Bandlücke, während die analogen MSe2‐ und MTe2‐Systeme eine signifikant geringere Bandlücke aufweisen und sogar metallisch bzw. halbmetallisch sein können. Unter mechanischer Ausdehnung werden die MX2‐Materialien Halbleiter mit quasi‐direkter Bandlücke. Die mechanische Deformation und die elektronischen Transporteigenschaften dieser Materialien weisen auf potenzielle Anwendungen im Bereich der Nanoelektronik mit flexiblen Materialien hin.
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