Excitation power dependence of spin relaxation time in GaAs/AlGaAs/AlAs type-II tunneling bi-quantum wells
Excitation power dependence of spin relaxation time in GaAs/AlGaAs/AlAs type-II tunneling bi-quantum wells
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GaAs/AlGaAs/AlAs II 型隧道双量子阱中自旋弛豫时间的激发功率依赖性
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中村 雄一,松田 侑己,藤沼広輝,孫啓明,金子朔夜,中山航,竹内淳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
姜海松，Mahmoud Nasef;藤本勘太郎;浜本貴一;Shinji HAYASHI;中村 雄一,松田 侑己,藤沼広輝,孫啓明,金子朔夜,中山航,竹内淳
