Hole-Mobility Enhancement in Ultrathin Strained Si_<0.5>Ge_<0.5>-on-Insulator Fabricated by Ge Condensation Technique
Hole-Mobility Enhancement in Ultrathin Strained Si_<0.5>Ge_<0.5>-on-Insulator Fabricated by Ge Condensation Technique
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Ge凝聚技术制备的绝缘体上超薄应变Si_<0.5>Ge_<0.5>增强空穴迁移率
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Yang;D.Wang;H.Nakashima
