Leak path passivation by in situ Al-N for InGaN solar cells operating at wavelengths up to 570 nm
Leak path passivation by in situ Al-N for InGaN solar cells operating at wavelengths up to 570 nm
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通过原位 Al-N 对 InGaN 太阳能电池进行泄漏路径钝化，工作波长高达 570 nm
DOI：
10.1063/1.4940970
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发表时间：
2016
影响因子：
4
通讯作者：
and Akihiko Yoshikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ke Wang;Daichi Imai;Kazuhide Kusakabe;and Akihiko Yoshikawa
