A Cat-CVD Si3N4 film study and its application to the ULSI process
A Cat-CVD Si3N4 film study and its application to the ULSI process
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Cat-CVD Si3N4 薄膜研究及其在 ULSI 工艺中的应用
DOI：
10.1016/s0040-6090(01)01282-2
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
H. Matsumura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Uchiyama;A. Masuda;H. Matsumura
