Growth of Ge1 − xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates
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DOI：
10.1016/j.tsf.2011.10.153
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发表时间：
2012-02
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Marika Nakamura;Y. Shimura;S. Takeuchi;O. Nakatsuka;S. Zaima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Marika Nakamura;Y. Shimura;S. Takeuchi;O. Nakatsuka;S. Zaima
