プラズマチャージングダメージによる MOSFET ランダムテレグラフノイズ(RTN)特性の変動
プラズマチャージングダメージによる MOSFET ランダムテレグラフノイズ(RTN)特性の変動
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由于等离子体充电损坏导致 MOSFET 随机电报噪声 (RTN) 特性发生变化
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
斧高一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
亀井政幸;江利口浩二;鷹尾祥典;斧高一
