P(VDF-TrFE)をゲートとしたボロンドープダイヤモンドFET

P(VDF-TrFE)をゲートとしたボロンドープダイヤモンドFET
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具有 P(VDF-TrFE) 栅极的硼掺杂金刚石 FET

DOI:
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发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
川江 健
川江 健
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
森 陽介;柄谷涼太;馬場一気;吉田稜;中嶋宇史;松本翼;徳田規夫;川江 健

文献摘要

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