First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics
First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics
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氮原子对通过 Hf 基高 k 电介质减少栅极漏电流的内在影响的第一性原理研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Arikado
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Umezawa;K.Shiraishi;T.Ohno;H.Watanabe;T.Chikyow;K.Torii;K.Yamabe;K.Yamada;H.Kitajima;T.Arikado
