高温アニールとγ線照射による4H-SiC/SiO2窒化界面構造の変化の違い
高温アニールとγ線照射による4H-SiC/SiO2窒化界面構造の変化の違い
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高温退火和γ射线照射导致4H-SiC/SiO2氮化物界面结构变化的差异
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
喜多 浩之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
佐俣 勇祐;増永 昌弘;島 明生;桑名 諒;喜多 浩之
