Accurate Evaluation of Interface State Densities of 4H-SiC(0001) MOS Structures Annealed in POCl3 by C-Ψs Method
Accurate Evaluation of Interface State Densities of 4H-SiC(0001) MOS Structures Annealed in POCl3 by C-Ψs Method
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C-Ψs法准确评估POCl3退火4H-SiC(0001) MOS结构的界面态密度
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kobayashi;T. Okuda;J. Suda;and T. Kimoto
