Theoretical enthalpies of formation for small silicon hydrides
Theoretical enthalpies of formation for small silicon hydrides
复制标题
小氢化硅的理论生成焓
DOI：
10.1021/j100157a052
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发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Kalcher
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Sax;J. Kalcher
采用高质量的电子结构方法（多构型参考波函数、单-双构型相互作用），结合经验键焓修正，计算了27个硅原子分子体系的生成焓（Δ fH ○-298）和生成吉布斯函数（Δ fG ○- 298
Enthalpies of formation (Δ f H ○- 298 ) and Gibbs functions of formation (Δ f G ○- 298 ) for 27 molecular systems with up to three silicon atoms were calculated with high-quality electronic structure methods (multiconfigurational reference wave functions, singles-doubles configuration interaction) in combination with empirical bond enthalpy corrections