H.Hasegawa, T.Inagaki, S.Ootomo, T.Hashizume: "Mechanisms of Current Collapse and Gate Leakage Currents in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors"J.Vac.Sci.Technol B. 21. 1844-1855 (2003)
H.Hasegawa, T.Inagaki, S.Ootomo, T.Hashizume: "Mechanisms of Current Collapse and Gate Leakage Currents in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors"J.Vac.Sci.Technol B. 21. 1844-1855 (2003)
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H.Hasekawa、T.Inagaki、S.Ootomo、T.Hashizume：“AlGaN/GaN 异质结构场效应晶体管中的电流崩塌和栅极漏电流的机制”J.Vac.Sci.Technol B. 21. 1844-1855 (2003)
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