Strain relief mechanisms in Ge/Si(100) islands
Strain relief mechanisms in Ge/Si(100) islands
复制标题
Ge/Si(100) 岛中的应变消除机制
DOI：
10.1016/s0921-5107(02)00663-3
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发表时间：
2003
影响因子：
3.6
通讯作者：
C. Spinella
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Capellini;M. Seta;F. Evangelisti;C. Spinella
