Numerical analysis of cooling rate dependence on dislocation density in multicrystalline silicon for solar cells

Numerical analysis of cooling rate dependence on dislocation density in multicrystalline silicon for solar cells
复制标题

DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2010.11.009
复制
发表时间:
2011-03
影响因子:
1.8
通讯作者:
S. Nakano;X. Chen;B. Gao;K. Kakimoto
S. Nakano;X. Chen;B. Gao;K. Kakimoto
中科院分区:
材料科学3区
文献类型:
--
作者:
S. Nakano;X. Chen;B. Gao;K. Kakimoto

文献摘要

被引文献

相似文献