Low on-resistance triple RESURF SOI LDMOS with an Integration of a planar gate and trench gate-猫眼课题宝

DOI：

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发表时间：

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期刊：

Chinese Physics B

影响因子：

1.7

通讯作者：

中科院分区：

物理与天体物理3区

文献类型：

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作者：

Luo Xiao-rong, Yao Guo-liang, Wang Yuan-gang, Zhan;