H.Takahashi: "Process Characterization and Optimization for a Novel Oxide-Free Insulated Gate Structure for InP MISFETs Having Silicon Interface Control Layer"IEICE-C. E84-C10. 1344-1349 (2001)
H.Takahashi: "Process Characterization and Optimization for a Novel Oxide-Free Insulated Gate Structure for InP MISFETs Having Silicon Interface Control Layer"IEICE-C. E84-C10. 1344-1349 (2001)
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H.Takahashi：“具有硅界面控制层的 InP MISFET 的新型无氧化物绝缘栅结构的工艺表征和优化”IEICE-C。
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