Monolithic Growth of InAs-QDs with Different Emission Wavelengths in Different Areas for Integrated Optical Devices
Monolithic Growth of InAs-QDs with Different Emission Wavelengths in Different Areas for Integrated Optical Devices
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用于集成光学器件的不同发射波长的 InAs-QD 在不同区域的单片生长
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Asakawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y;Takata;N;Ozaki;S;Ohkouchi;Y;Sugimoto;N;Ikeda;Y;Watanabe;Y;Kitagawa;A;Mizutani and K;Asakawa
影响因子：
3.3
作者：
Asakawa, Kiyoshi;Sugimoto, Yoshimasa;Baets, Roel
通讯作者：
Baets, Roel