Room-temperature continuous-wave 1.55 μm GaInNAsSb laser on GaAs
Room-temperature continuous-wave 1.55 μm GaInNAsSb laser on GaAs
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GaAs 上的室温连续波 1.55 μm GaInNAsSb 激光器
DOI：
10.1049/el:20064022
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发表时间：
2006
影响因子：
1.1
通讯作者：
S. HarrisJrJames
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Bank;H. Bae;H. Yuen;M. Wistey;L. Goddard;S. HarrisJrJames
报道了第一个在 GaAs 上生长的低阈值 1.55 μm 激光器。在 20×2400μm 切割器件上观察到 1.55μm 激光，室温连续波阈值电流密度为 579μA/cm2，外部效率为 41%，峰值输出功率为 130μmW。脉冲阈值电流密度为 550 A/cm2，峰值输出功率 >600 mW。
The first low-threshold 1.55 µm lasers grown on GaAs are reported. Lasing at 1.55 µm was observed from a 20×2400 µm as-cleaved device with a room-temperature continuous-wave threshold current density of 579 A/cm2, external efficiency of 41%, and 130 mW peak output power. The pulsed threshold current density was 550 A/cm2 with >600 mW peak output power.