Tunable Positive to Negative Magnetoresistance in Atomically Thin WTe2.
Tunable Positive to Negative Magnetoresistance in Atomically Thin WTe2.
复制标题
原子薄 WTe2 中的可调谐正负磁阻。
DOI：
10.1021/acs.nanolett.6b04194
复制
发表时间：
2017-01
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Xiu Faxian
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Enze;Chen Rui;Huang Ce;Yu Jihai;Zhang Kaitai;Wang Weiyi;Liu Shanshan;Ling Jiwei;Wan Xiangang;Lu Hai-Zhou;Xiu Faxian
过渡金属二碲化物WTe 2由于具有非饱和正磁电阻和可能是II型Weyl半金属等有趣的物理性质而被广泛研究。虽然激增的研究活动致力于了解其体性质，但在原子薄的WTe 2中探索原始物理仍然是一个巨大的挑战。在这里，我们报告了一个成功的合成单层到几层WTe2通过化学气相沉积。使用原子级薄的WTe2纳米片，我们发现了一个以前无法访问的双极行为，使几层WTe2的磁导的可调性从弱反本地化弱本地化，揭示了一个强大的电场调制下的垂直磁场的自旋轨道相互作用。在这项研究中揭示的这些吸引人的物理特性清楚地表明，WTe2是一个有前途的平台，为异国情调的电子和自旋电子器件的应用。
Transitional metal ditelluride WTe2 has been extensively studied owing to its intriguing physical properties like nonsaturating positive magnetoresistance and being possibly a type-II Weyl semimetal. While surging research activities were devoted to the understanding of its bulk properties, it remains a substantial challenge to explore the pristine physics in atomically thin WTe2. Here, we report a successful synthesis of mono- to few-layer WTe2 via chemical vapor deposition. Using atomically thin WTe2 nanosheets, we discover a previously inaccessible ambipolar behavior that enables the tunability of magnetoconductance of few-layer WTe2 from weak antilocalization to weak localization, revealing a strong electrical field modulation of the spin-orbit interaction under perpendicular magnetic field. These appealing physical properties unveiled in this study clearly identify WTe2 as a promising platform for exotic electronic and spintronic device applications.
登录
查看更多内容
单个 Cd3As2 纳米线中手性异常引起的巨负磁阻
影响因子：
16.6
作者：
Li CZ;Wang LX;Liu H;Wang J;Liao ZM;Yu DP
通讯作者：
Yu DP
影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
影响因子：
1.7
作者：
Xitong Xu;S. Jia
通讯作者：
Xitong Xu;S. Jia
影响因子：
8.6
作者：
Caviglia, A. D.;Gabay, M.;Triscone, J. -M.
通讯作者：
Triscone, J. -M.
影响因子：
41.2
作者：
Radisavljevic, Branimir;Kis, Andras
通讯作者：
Kis, Andras