4H-SiC MOS界面窒化処理における窒素ドーピングのESR定量
4H-SiC MOS界面窒化処理における窒素ドーピングのESR定量
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4H-SiC MOS界面氮化处理中氮掺杂的ESR定量
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小杉亮治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
梅田享英;佐藤嘉洋;佐久間由貴;小杉亮治
