Mapping On concentration, strain, and internal electric field in InGaN/GaN quantum well structure
Mapping On concentration, strain, and internal electric field in InGaN/GaN quantum well structure
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InGaN/GaN 量子阱结构中的浓度、应变和内电场映射
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D.J.Smith
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Takeguchi;M.R.McCartney;D.J.Smith
