イオン注入SiC基板のX線侵入長を制御した斜入射トポグラフィー
イオン注入SiC基板のX線侵入長を制御した斜入射トポグラフィー
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离子注入 SiC 衬底的受控 X 射线穿透深度的斜入射形貌
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
古室昌徳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋由美子;平野馨一;吉村順一;長町信治;古室昌徳
