高宮真: "極薄膜SOI層を有する超低消費電力用ディープサブ0.1μm MOSFET" 電子情報通信学会論文誌. J81-C-II,3(発表予定). (1998)
高宮真: "極薄膜SOI層を有する超低消費電力用ディープサブ0.1μm MOSFET" 電子情報通信学会論文誌. J81-C-II,3(発表予定). (1998)
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Makoto Takamiya：“具有超薄 SOI 层的深亚 0.1μm MOSFET，可实现超低功耗”，电子、信息和通信工程师学会汇刊，3（待提交）。
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