Diameter Dependence of Scattering Limited Transport Properties of Si Nanowire MOSFETs under Uniaxial Tensile Strain
Diameter Dependence of Scattering Limited Transport Properties of Si Nanowire MOSFETs under Uniaxial Tensile Strain
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单轴拉伸应变下硅纳米线 MOSFET 散射限制传输特性的直径依赖性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kohei Itoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takahisa Tanaka;Kohei Itoh
