Enhanced Charge Collection in Drain Contact of 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Microbeam

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重离子微束诱导的 6H-SiC MOSFET 漏极接触中的电荷收集增强

DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
Proc. of 9th Internat. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications
影响因子：
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通讯作者：
T. Ohshima
T. Ohshima
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
S. Onoda;G. Vizkelethy;T. Makino;N. Iwamoto;K. Kojima;S. Nozaki;T. Ohshima

文献摘要

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