SiC/SiO2界面における電子状態とそのデバイスへの影響

SiC/SiO2界面における電子状態とそのデバイスへの影響
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SiC/SiO2界面电子态及其对器件的影响

DOI:
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发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
松下 雄一郎
松下 雄一郎
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
J. Honda;H. Tajima and H. Yokoyama;松下 雄一郎

文献摘要

参考文献

被引文献

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