SiC/SiO2界面における電子状態とそのデバイスへの影響
SiC/SiO2界面における電子状態とそのデバイスへの影響
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SiC/SiO2界面电子态及其对器件的影响
DOI:
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发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
松下 雄一郎
中科院分区:
文献类型:
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作者:
J. Honda;H. Tajima and H. Yokoyama;松下 雄一郎
影响因子:
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作者:
T. Abe;N. Tan;H. Akagi
通讯作者:
H. Akagi
影响因子:
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作者:
S. Inoue;H. Akagi
通讯作者:
H. Akagi
DOI:
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发表时间:
2006
期刊:
電気学会論文誌D 126巻3号
影响因子:
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作者:
井上重徳;赤木泰文
通讯作者:
赤木泰文